연마액 여과 절차

CMP는 화학 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing)를 의미합니다. CMP 기술에 사용되는 장비 및 소모품에는 연마기, 연마 페이스트, 연마 패드, CMP 후 세척 장비, 연마 종료점 감지 및 공정 제어 장비, 폐수 처리 및 시험 장비 등이 포함됩니다.

CMP 연마액은 고순도 실리콘 분말을 원료로 특수 공정을 통해 제조한 고순도, 저이온 금속 연마 제품입니다. 다양한 재료의 나노 스케일 고평탄 연마에 널리 사용됩니다.

여과 목적:

입자 및 콜로이드 불순물을 제거하기 위해;

여과 요구 사항:

1. 여과 매체에서 용해되는 물질의 양이 적고, 매체 손실이 없음

2. 불순물 제거 능력이 뛰어나고 수명이 길다.

3. 높은 유량, 높은 기계적 강도

여과 구성:

여과 절차: